MODELING OF LOW-PRESSURE CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

被引：10

作者：

CHARLIER, JP

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1981年 / 28卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1981.20373

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：501 / 504

页数：4

相关论文

共 2 条

[1] NOVEL REACTOR FOR HIGH VOLUME LOW-COST SILICON EPITAXY [J].

BAN, VS .

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1978, 45 (01) :97-107

[2] MODELING OF LOW-PRESSURE DEPOSITION OF SIO2 BY DECOMPOSITION OF TEOS [J].

HUPPERTZ, H ;

ENGL, WL .

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1979, 26 (04) :658-662