未找到相关数据
DOUBLE HETEROSTRUCTURE GA0.47IN0.53AS MESFETS BY MBE
被引：74
作者：
OHNO, H
BARNARD, J
WOOD, CEC
EASTMAN, LF
机构：
来源：
ELECTRON DEVICE LETTERS
|
1980年
/
1卷
/
08期
关键词：
D O I：
10.1109/EDL.1980.25270
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
收藏
页码：154 / 155
页数：2
相关论文