共 1 条
- [1] PREPARATION AND PROPERTIES OF HIGH-PURITY EPITAXIAL GAAS GROWN FROM GA SOLUTION[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1967, 11 (05) : 171 - &KANG, CSGREENE, PE
SOLUBILITIES OF SN IN IN2O3 AND OF IN IN SNO2 CRYSTALS GROWN FROM SN-IN MELTS
被引：44
作者：
FRANK, G
[1
]
BROCK, L
[1
]
BAUSEN, HD
[1
]
机构：
[1] PHILIPS GMBH FORSCH LAB AACHEN,D-5100 AACHEN,FED REP GER
关键词：
D O I：
10.1016/0022-0248(76)90231-1
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要：
引用
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页码：179 / 180
页数：2
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