EPITAXIAL GROWTH OF VO2 SINGLE CRYSTALS AND THEIR ANISOTROPIC PROPERTIES IN ELECTRICAL RESISTIVITIES

被引：33

作者：

KOIDE, S

TAKEI, H

机构：

来源：

JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN | 1967年 / 22卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1143/JPSJ.22.946

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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页码：946 / &

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共 2 条

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