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OPTIMUM GROWTH-CONDITIONS IN SILICON VAPOR EPITAXY
被引：5
作者：
BORKOWICZ, J
KOREC, J
NOSSARZEWSKAORLOWSKA, E
机构：
来源：
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH
|
1978年
/
48卷
/
01期
关键词：
D O I：
10.1002/pssa.2210480130
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
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页码：225 / 228
页数：4
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