INSITU PSEUDO MOS-TRANSISTOR IN AS-GROWN SILICON ON INSULATOR WAFERS

被引：3

作者：

WILLIAMS, S

CRISTOLOVEANU, S

机构：

[1] Laboratoire de Physique des Composants à Semiconducteurs (UA-CNRS), INPG, ENSERG, 38016 Grenoble Cedex

来源：

MICROELECTRONIC ENGINEERING | 1991年 / 15卷 / 1-4期

关键词：

D O I：

10.1016/0167-9317(91)90211-U

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

As-grown silicon on insulator materials are analysed using an in situ pseudo-MOS transistor. The measurement set-up and typical transistor characteristics are discussed. Fundamental parameters relating to the Si film, buried oxide and Si-SiO2 interface can be extracted from the operational curves of the pseudo-MOS transistor.

引用

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