Calculation of the quantum defect for highly excited S states of para- and orthohelium.

被引：10

作者：

Smith, LP ^{[1
]}

机构：

[1] Cornell Univ, Dept Phys, Ithaca, NY USA

来源：

PHYSICAL REVIEW | 1932年 / 42卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRev.42.176

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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页码：176 / 181

页数：6

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共 4 条

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