EFFECT OF ELECTRON-BEAM ALUMINIZATION ON SI-SAPPHIRE INTERFACE

被引：5

作者：

GOODMAN, AM ^{[1
]}

WEITZEL, CE ^{[1
]}

机构：

[1] RCA LABS,DAVID SARNOFF RES CTR,PRINCETON,NJ 08540

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.89607

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：114 / 117

页数：4

共 18 条

[1] RANGE OF 1-10 KEV ELECTRONS IN SOLIDS [J].

FELDMAN, C .

PHYSICAL REVIEW, 1960, 117 (02) :455-459

GOODMAN, AM .

GOODMAN, AM .

GOODMAN, AM ;

WEITZEL, CE .

[5]

GOODMAN AM, 1977, NBS40040 SPEC PUBL

[6]

GOODMAN AM, 1977, NBS40037 SPEC PUBL

[7]

GOODMAN AM, 1976, NBS40034 SPEC PUBL

[8]

GROVE AS, 1967, PHYS TECHNOL S, pCH12

[9] THIN-FILM SILICON-ON-SAPPHIRE DEEP DEPLETION MOS TRANSISTORS [J].

HEIMAN, FP .

[10]

KERN W, 1970, RCA REV, V31, P187