ADDITIONAL POWER VMOS RADIATION EFFECTS STUDIES

被引：8

作者：

RATTNER, S

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1980年 / 27卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1980.4331014

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1329 / 1331

页数：3

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共 2 条

[1]

FAZI C, 1979, 1979 MIDC PROF PROGR

[2]

HUGHES GW, 1976, IEEE T NUCL SCI, V23