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POSITRON TRAPPING IN ELECTRON-IRRADIATED SILICON-CRYSTALS
被引：23
作者：
FUHS, W
HOLZHAUER, U
RICHTER, FW
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS
|
1980年
/
22卷
/
04期
关键词：
D O I：
10.1007/BF00901067
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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页码：415 / 419
页数：5
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