SUBSTRATE BIAS EFFECT ON ION-IMPLANTED GAAS-MESFETS

被引：9

作者：

KITAHARA, K

NAKAI, K

SHIBATOMI, A

OHKAWA, S

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.19.L369

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L369 / L371

页数：3

共 10 条

[1]

BARRERA J, 1975, 5TH P BIENN CORN EL, P135

[2]

HOWER PL, 1968, GALLIUM ARSENIDE REL, P187

[3]

ITOH T, 1978, GALLIUM ARSENIDE REL, P326

[4]

ITOH Y, 1977, ANNU RES REP SOLID S, P56

KITAHARA, K ;

NAKAI, K ;

SHIBATOMI, A ;

OHKAWA, S .

[6]

LIN AL, 1978, J APPL PHYS, V49, P3348

[7]

TANIMOTO M, 1976 DEV RES C SALT

[8]

TSIRONIS C, 1977, ELECTRON LETT, V13, P438, DOI 10.1049/el:19770317

[9] PHOTOCAPACITANCE EFFECTS OF DEEP TRAPS IN EPITAXIAL GAAS [J].

WHITE, AM ;

DEAN, PJ ;

PORTEOUS, P .

[10]

YOKOYAMA N, 1976, GAAS RELATED COMPOUN, P21