BRIGHT RED ELECTROLUMINESCENCE IN DIFFUSED POROUS SILICON P-N-JUNCTION

被引：4

作者：

JAIN, VK

GUPTA, A

KUMAR, A

SINGHAL, GK

ARORA, OP

SRINIVASAN, T

AHUJA, DS

PURI, PP

KUMAR, V

机构：

[1] Solid State Physics Laboratory, Delhi, 110 054, Lucknow Road

来源：

关键词：

ELECTROLUMINESCENCE; POROUS-SILICON P-N JUNCTION;

D O I：

10.1007/BF02745149

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

We report the first operation of light emitting p-n junction diode in porous silicon fabricated by diffusion.

引用

页码：239 / 241

页数：3

共 4 条

CANHAM, LT .

NAMAVAR, F ;

MARUSKA, HP ;

KALKHORAN, NM .

PROKES, SM ;

FREITAS, JA ;

SEARSON, PC .

SEARSON, PC ;

MACAULAY, JM ;

PROKES, SM .