LATTICE DISORDER IN ION-IMPLANTED BORON-DOPED SILICON

被引：11

作者：

HIRVONEN, JK

EISEN, FH

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1971年 / 19卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1653724

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：14 / &

相关论文

共 4 条

[1] ION IMPLANTATION OF SILICON .I. ATOM LOCATION AND LATTICE DISORDER BY MEANS OF 1.0-MEV HELIUM ION SCATTERING [J].

DAVIES, JA ;

DENHARTO.J ;

ERIKSSON, L ;

MAYER, JW .

CANADIAN JOURNAL OF PHYSICS, 1967, 45 (12) :4053-&

[2]

DELLAMEA G, 1970, APPL PHYS LETT, V16, P382, DOI 10.1063/1.1653034

[3]

Eisen F. H., 1971, Radiation Effects, V7, P143, DOI 10.1080/00337577108232575

[4] TEMPERATURE DEPENDENCE OF LATTICE DISORDER CREATED IN SI BY 40 KEV SB IONS [J].

PICRAUX, ST ;

WESTMORE.JE ;

MAYER, JW ;

HART, RR ;

MARSH, OJ .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1969, 14 (01) :7-&