EFFECT OF SELECTIVE DOPING ON THE EMISSION CHARACTERISTICS OF A HEAVILY SI-DOPED GAAS/ALGAAS QUANTUM-WELL

被引：9

作者：

KAMATA, N

TSUCHIYA, H

KOBAYASHI, K

SUZUKI, T

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1987年 / 26卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.L1082

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L1082 / L1084

页数：3