EFFECT OF NONPARABOLICITY IN GAAS/GA1-XALX AS SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS

被引:66
作者
YOO, KH
RAMMOHAN, LR
NELSON, DF
机构
[1] MIT,DEPT PHYS,CAMBRIDGE,MA 02139
[2] WORCESTER POLYTECH INST,DEPT PHYS,WORCESTER,MA 01609
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1989年 / 39卷 / 17期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.39.12808
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
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页码:12808 / 12813
页数:6
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