THE EFFECT OF CMOS PROCESSING ON OXYGEN PRECIPITATION, WAFER WARPAGE, AND FLATNESS

被引：18

作者：

LEE, CO

TOBIN, PJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2108358

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：2147 / 2152

页数：6

共 21 条

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