TIME-DEPENDENCE OF CHARGE TRANSPORT IN MIS MEMORY TRANSISTORS

被引：12

作者：

FERRISPRABHU, AV

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1654085

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：149 / +

页数：1

相关论文

共 5 条

[1] Abramowitz M., 1964, HDB MATH FUNCTIONS F, V55, P228
[2] BALK P, 1970, NTZ, V10, P526
[3] Dorda G., 1970, Physica Status Solidi A, V1, P71, DOI 10.1002/pssa.19700010109
[4] ROSS EC, 1969, RCA REV, V30, P366
[5] THEORY OF THIN-OXIDE MNOS MEMORY TRANSISTOR
SVENSSON, C
LUNDSTROM, I
[J]. ELECTRONICS LETTERS, 1970, 6 (20) : 645 - +