A RESONANT CAVITY STUDY OF SEMICONDUCTORS

被引：5

作者：

HSIEH, HT

GOLDEY, JM

BROWN, SC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1721630

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：302 / 307

页数：6

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共 6 条

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