DIRECT DISPLAY OF ELECTRON BACK TUNNELING IN MNOS MEMORY CAPACITORS

被引：17

作者：

YUN, BH ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,SYST PROD DIV,ESSEX JUNCTION,VT 05452

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1973年 / 23卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1654840

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：152 / 153

页数：2

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共 4 条

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