INFLUENCE OF CARRIER DIFFUSION EFFECTS ON WINDOW THICKNESS OF SEMICONDUCTOR DETECTORS

被引：26

作者：

CAYWOOD, JM

MEAD, CA

MAYER, JW

机构：

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS | 1970年 / 79卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1016/0029-554X(70)90159-X

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：329 / &

共 9 条

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