INTERNAL FRICTION OF SINGLE CRYSTAL SILICON FROM 25-DEGREES-C TO 1100-DEGREES-C

被引：11

作者：

SOUTHGATE, PD

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON SECTION B | 1957年 / 70卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1088/0370-1301/70/8/111

中图分类号：

Q [生物科学];

学科分类号：

07 ; 0710 ; 09 ;

摘要：

引用

页码：804 / 806

页数：3

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共 3 条

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