LOW-FIELD MOBILITY OF CARRIERS IN NONDEGENERATE SEMICONDUCTORS

被引：3

作者：

SODHA, MS

AGRAWAL, DB

机构：

来源：

CANADIAN JOURNAL OF PHYSICS | 1958年 / 36卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1139/p58-077

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

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页码：707 / 710

页数：4

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共 3 条

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SHOCKLEY, W
[J]. BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1951, 30 (04): : 990 - 1034