ELECTRONIC EFFECT ON DEBYE TEMPERATURE OF N-TYPE SILICON

被引：11

作者：

KEYES, RW ^{[1
]}

KOBAYASHI, N ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV TOKYO,DEPT PHYS,TOKYO 113,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1098(78)90803-7

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

页码：63 / 64

页数：2

共 6 条

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