A STUDY OF THE INCREASED EFFECTS OF HOT-CARRIER STRESS ON NMOSFETS AT LOW-TEMPERATURE

被引：11

作者：

ACOVIC, A ^{[1
]}

DUTOIT, M ^{[1
]}

ILEGEMS, M ^{[1
]}

机构：

[1] SWISS FED INST TECHNOL,INST MICRO & OPTOELECTR,CH-1015 LAUSANNE,SWITZERLAND

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1989年 / 36卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/16.43701

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：2603 / 2603

页数：1

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共 2 条

[1]

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IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1987, 34 (01) :75-82