EFFECTS OF CR REDISTRIBUTION ON DEVICE CHARACTERISTICS IN ION-IMPLANTED GAAS ICS FABRICATED WITH SEMI-INSULATING GAAS

被引：3

作者：

ASBECK, P

TANDON, J

BABCOCK, E

WELCH, B

EVANS, CA

DELINE, VR

机构：

[1] ROCKWELL INT,ELECTR RES CTR,THOUSAND OAKS,CA 91360

[2] CHARLES EVANS & ASSOCIATES,SAN MATEO,CA 94402

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1979.19771

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：1853 / 1853

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