SOME ELECTRICAL AND PHOTOVOLTAIC PROPERTIES OF P-GAAS-N-ZNSE DIODES

被引：14

作者：

BALCH, JW

ANDERSON, WW

机构：

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1972年 / 9卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210090219

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：567 / &

共 14 条

[1]

BALCH JW, TO BE PUBLISHED

[2]

HILIBRAND J, 1960, RCA REV, V21, P245

[3]

HILSUM C, 1961, 1960 P INT C SEM PHY, P962

[4] ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF NZNSE-PGE HETERODIODES [J].

HOVEL, HJ ;

MILNES, AG .

[5]

LAMPERT MA, 1970, CURRENT INJECTION SO, pCH2

[6]

Mach R., 1970, Physica Status Solidi A, V2, P701, DOI 10.1002/pssa.19700020405

[7]

MADELUNG O, 1964, PHYSICS 3 5 COMPOUND, P139

[8]

MILNES AF, 1970, NGR39087002 NASA CON

[9] OPTICAL DISPERSION OF ZINC SELENIDE [J].

RAMBAUSKE, WR .

[10] HETEROJUNCTION SOLAR CELL CALCULATIONS [J].

SAHAI, R ;

MILNES, AG .