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ANALYTICAL IGFET MODEL INCLUDING DRIFT AND DIFFUSION CURRENTS
被引：45
作者：
BACCARANI, G
RUDAN, M
SPADINI, G
机构：
来源：
IEE JOURNAL ON SOLID-STATE AND ELECTRON DEVICES
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1978年
/
2卷
/
02期
关键词：
D O I：
10.1049/ij-ssed.1978.0011
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页数：7
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