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FAR-INFRARED PHOTOCONDUCTIVITY SPECTROSCOPY OF HIGH-MOBILITY N-GAAS GROWN BY MBE
被引:9
作者
:
GRIMES, RT
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GRIMES, RT
STANAWAY, MB
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STANAWAY, MB
CHAMBERLAIN, JM
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CHAMBERLAIN, JM
HENINI, M
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HENINI, M
HUGHES, OH
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HUGHES, OH
机构
:
来源
:
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
|
1989年
/ 4卷
/ 07期
关键词
:
D O I
:
10.1088/0268-1242/4/7/009
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:548 / 552
页数:5
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