CARRIER REMOVAL AFTER H1+, H2+ OR H3+ IMPLANTS INTO GAAS

被引：1

作者：

GECIM, HC ^{[1
]}

SEALY, BJ ^{[1
]}

STEPHENS, KG ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SURREY,DEPT ELECT & ELECTR ENGN,GUILDFORD GU2 5XH,SURREY,ENGLAND

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1976年 / 12卷 / 25期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19760512

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：668 / 669

页数：2

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