PHOTOEMISSION OF GAAS AND INSB CORE LEVELS

被引：19

作者：

CARDONA, M ^{[1
]}

PENCHINA, CM ^{[1
]}

SHEVCHIK, NJ ^{[1
]}

TEJEDA, J ^{[1
]}

机构：

[1] MAX PLANCK INST FESTKORPER FORSCH,STUTTGART 1,WEST GERMANY

来源：

SOLID STATE COMMUNICATIONS | 1972年 / 11卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1098(72)90764-8

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

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页码：1655 / 1658

页数：4

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YU, PY ;

CARDONA, M ;

PENCHINA, CM ;

KOCH, EE .

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 1972, 52 (02) :505-&

[2]

LANE T, IN PRESS

[3]

LEONHARDT G, PRIVATE COMMUNICATIO

[4] EVOLUTION OF CORE STATES FROM ENERGY-BANDS IN 4D5S5P REGION FROM PD TO XE [J].

POLLAK, RA ;

SHIRLEY, DA ;

LEY, L ;

KOWALCZYK, S .

PHYSICAL REVIEW LETTERS, 1972, 29 (05) :274-+