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PHOTOELECTRONIC PROPERTIES OF LOW-TEMPERATURE GAAS GROWN ON SILICON AND GAAS SUBSTRATES BY MBE
被引：3
作者：
MARIELLA, RP
MORSE, JD
AINES, R
HUNT, CE
机构：
来源：
III-V HETEROSTRUCTURES FOR ELECTRONIC / PHOTONIC DEVICES
|
1989年
/
145卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-145-325
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要：
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页码：325 / 329
页数：5
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