GEOMETRIC EFFECTS ON THE GATE-CONTROLLED CAPACITOR

被引：1

作者：

SLUTSKY, EB ^{[1
]}

ZEMEL, JN ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV PENN,MOORE SCH ELECT ENGN,PHILADELPHIA,PA 19104

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1980.20115

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1843 / 1846

页数：4

共 11 条

[1]

ANDRES KW, 1968, 48252SUSEL68093 STAN

[2]

BURNS TR, 1969, RCA REV, V30, P15

[3]

FRANKL DR, 1967, ELECTRICAL PROPERTIE, pCH3

[4]

HOFSTEIN SR, 1965, SOLID STATE ELECTRON, V8

[5] HYBRID VOLTAGE-VARIABLE CAPACITOR [J].

MACIVER, BA .

[6]

SLUTSKY E, 1974, THESIS U PENNSYLVANI

[7] GATE-CONTROLLED DIODES FOR IONIC CONCENTRATION MEASUREMENT [J].

WEN, CC ;

CHEN, TC ;

ZEMEL, JN .

[8]

WEN CC, 1978, IEDM TECH DIG

[9]

WEN CJ, UNPUBLISHED

[10]

ZEMEL JN, 1977, RES DEV, V28, P38