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A RESONANT-TUNNELING BIPOLAR-TRANSISTOR (RBT) - A NEW FUNCTIONAL DEVICE WITH HIGH-CURRENT GAIN
被引：24
作者：
FUTATSUGI, T
YAMAGUCHI, Y
IMAMURA, K
MUTO, S
YOKOYAMA, N
SHIBATOMI, A
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1987年
/
26卷
/
02期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.26.L131
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L131 / L133
页数：3
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