VELOCITY SATURATION EFFECTS IN N-CHANNEL DEEP-DEPLETION SOS-MOSFETS

被引：8

作者：

JERDONEK, RT

BANDY, WR

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1978.19198

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：894 / 898

页数：5

共 5 条

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JERDONEK, RT ;

BANDY, WR .

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[5]

RONEN RS, 1975, SOLID STATE TECHNOL, V18, P39