PREPARATION OF LARGE-AREA P-N JUNCTIONS IN SILICON BY SURFACE MELTING

被引：4

作者：

BILLIG, E

GASSON, DB

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1957年 / 28卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1722625

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1242 / 1245

页数：4

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共 2 条

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