USE OF THIN SI CRYSTALS IN BACKSCATTERING-CHANNELING STUDIES OF SI-SIO2 INTERFACE

被引：90

作者：

FELDMAN, LC

SILVERMAN, PJ

WILLIAMS, JS

JACKMAN, TE

STENSGAARD, I

机构：

[1] UNIV GUELPH,GUELPH N1G 2W1,ONTARIO,CANADA

[2] RUTGERS STATE UNIV,NEW BRUNSWICK,NJ 08903

来源：

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevLett.41.1396

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：1396 / 1399

页数：4