ANNEALING BEHAVIOR OF DEFECTS IN ELECTRON-IRRADIATED RHO-TYPE CDTE

被引：7

作者：

TAGUCHI, T ^{[1
]}

SHIRAFUJI, J ^{[1
]}

INUISHI, Y ^{[1
]}

机构：

[1] OSAKA UNIV, FAC ENGN, DEPT ELECT ENGN, SUITA, OSAKA, JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1974年 / 13卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.13.1003

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1003 / 1004

页数：2

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共 4 条

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