GRIDISTOR - NEW FIELD-EFFECT DEVICE

被引：38

作者：

TESZNER, S

GICQUEL, R

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1964.3439

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1502 / &

相关论文

共 8 条

[1] GROVALET J, 1963, SOLIDSTATE ELECTRONI, V6, P65
[2] MARTIN AVJ, 1961, INTERNATL S SEMICOND
[3] MARTIN AVJ, 1959, IRE NATIONAL CONV RE, V7, P9
[4] PRIM RC, 1953, IRE T, VED 4, P1
[5] A UNIPOLAR FIELD-EFFECT TRANSISTOR
SHOCKLEY, W
[J]. PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF RADIO ENGINEERS, 1952, 40 (11): : 1365 - 1376
[6] TESZNER S, 1958, B SOC FRANC ELECTRIC, V13, P682
[7] TESZNER S, 1961, ONDE ELECTR FR, P307
[8] WEGENER HAR, 1959, IRE T EL DEV, VED 6, P442