HIGH PURITY GAAS CRYSTALS GROWN BY LIQUID PHASE EPITAXY

被引：14

作者：

MIKI, H

OTSUBO, M

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1971年 / 10卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.10.509

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：509 / &

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[1] MUNOZ E, 1970, APPL PHYS LETT, V16, P262, DOI 10.1063/1.1653188
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