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RHEED OBSERVATION OF LATTICE-RELAXATION DURING GE/SI(001) HETEROEPITAXY
被引：34
作者：
MIKI, K
SAKAMOTO, K
SAKAMOTO, T
机构：
来源：
CHEMISTRY AND DEFECTS IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
|
1989年
/
148卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-148-323
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
引用
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页码：323 / 328
页数：6
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