MODULATION DOPED N-ALGAAS/GAAS HETEROSTRUCTURES GROWN BY FLOW-RATE MODULATION EPITAXY

被引：19

作者：

MAKIMOTO, T

KOBAYASHI, N

HORIKOSHI, Y

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1986年 / 25卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.25.L513

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L513 / L515

页数：3