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LOW-TEMPERATURE CHARACTERISTICS OF HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON FIELD-EFFECT TRANSISTORS
被引:2
作者
:
BAE, BS
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BAE, BS
CHO, DH
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CHO, DH
LEE, JH
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LEE, JH
LEE, CC
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LEE, CC
JANG, J
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JANG, J
机构
:
来源
:
AMORPHOUS SILICON TECHNOLOGY - 1989
|
1989年
/ 149卷
关键词
:
D O I
:
10.1557/PROC-149-271
中图分类号
:
O64 [物理化学(理论化学)、化学物理学];
学科分类号
:
070304 ;
081704 ;
摘要
:
引用
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页码:271 / 276
页数:6
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