CRYOSORPTION PUMPINT OF HELIUM AT 4.2 DEGREES K

被引：18

作者：

GRENIER, GE

STERN, SA

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1966年 / 3卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1116/1.1492498

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：334 / &

共 14 条

[1]

DAWSON JP, 1964, AEDCTDR6484

[2]

ESELSON BN, 1963, CRYOGENICS, V3, P207

[3]

ESELSON BN, 1962, CRYOGENICS, V2, P279

[4] CRYOSORPTION [J].

GAREIS, PJ ;

HAGENBACH, GF .

INDUSTRIAL AND ENGINEERING CHEMISTRY, 1965, 57 (05) :27-+

HOBSON, JP ;

ARMSTRONG, RA .

[6] 1ST ADSORBED LAYER OF HELIUM AT 4.2-DEGREES-K [J].

HOBSON, JP .

[7]

KIETZMANN BE, 1965, VR32 VAR ASS B

[8] LOW VAPOR PRESSURE MEASUREMENT AND THERMAL TRANSPIRATION [J].

LIANG, SC .

[9]

LIANG SC, 1953, J PHYS CHEM-US, V57, P910

[10] 3HE CRYOSTAT WITH ADSORPTION PUMPING [J].

MATE, CF ;

HARRISLO.R ;

DAVIS, WL ;

DAUNT, JG .