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SHARP RESONANCE CHARACTERISTICS IN TRIPLE-BARRIER DIODES WITH A THIN UNDOPED SPACER LAYER
被引：22
作者：
NAKAGAWA, T
FUJITA, T
MATSUMOTO, Y
KOJIMA, T
OHTA, K
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1987年
/
26卷
/
06期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.26.L980
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L980 / L982
页数：3
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