NEGATIVE RESISTANCE, CONDUCTIVE SWITCHING, AND MEMORY EFFECT IN SILICON-DOPED YTTRIUM-IRON GARNET CRYSTALS

被引:34
作者
BULLOCK, DC
EPSTEIN, DJ
机构
关键词
D O I
10.1063/1.1653364
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
收藏
页码:199 / &
相关论文
共 22 条