ANISOTROPY IN ETCHING AND DEPOSITION OF SELECTIVE EPITAXIAL GROWTH OF GAAS II

被引：5

作者：

ISHIBASHI, Y

YAMAGUCHI, M

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1971年 / 10卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.10.525

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

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页码：525 / +

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共 2 条

[1] ANISOTROPY IN ETCHING AND DEPOSITION OF SELECTIVE EPITAXIAL GROWTH OF GAAS [J].

ISIBASHI, Y ;

YAMAGUCHI, M .

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1970, 9 (08) :1007-+

[2]

MEHAL F, 1968, IEEE T, VMT16, P451