AN ANALYTICAL MODEL FOR GAA TRANSISTORS

被引：9

作者：

TERAO, A

VANDEWIELE, F

机构：

[1] Université Catholique de Louvain, Laboratoire de Microélectronique, B-1348 Louvain-la-Neuve

来源：

MICROELECTRONIC ENGINEERING | 1991年 / 15卷 / 1-4期

关键词：

Semiconductor Devices;

D O I：

10.1016/0167-9317(91)90220-8

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

The GAA transistor is a new SOI device with a symmetrical double-gate structure. We have developed an analytical model to describe the volume inversion occurring in this device. The model is used to characterize the mobility of the carriers both at the surface and in the volume of the SOI film.

引用

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