EXPERIMENTAL PROOF OF THE EXISTENCE OF A NEW ELECTRONIC COMPLEX IN SILICON

被引：532

作者：

HAYNES, JR

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevLett.4.361

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：361 / 363

页数：3

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共 4 条

[1]

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