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LOW-POWER GAAS DIGITAL INTEGRATED-CIRCUITS WITH NORMALLY-OFF MESFETS
被引:17
作者
:
FUKUTA, M
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
FUJITSU LABS LTD,NAKAHARA KU,KAWASAKI 211,JAPAN
FUJITSU LABS LTD,NAKAHARA KU,KAWASAKI 211,JAPAN
FUKUTA, M
[
1
]
SUYAMA, K
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
FUJITSU LABS LTD,NAKAHARA KU,KAWASAKI 211,JAPAN
FUJITSU LABS LTD,NAKAHARA KU,KAWASAKI 211,JAPAN
SUYAMA, K
[
1
]
KUSAKAWA, H
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
FUJITSU LABS LTD,NAKAHARA KU,KAWASAKI 211,JAPAN
FUJITSU LABS LTD,NAKAHARA KU,KAWASAKI 211,JAPAN
KUSAKAWA, H
[
1
]
机构
:
[1]
FUJITSU LABS LTD,NAKAHARA KU,KAWASAKI 211,JAPAN
来源
:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
|
1978年
/ 25卷
/ 11期
关键词
:
D O I
:
10.1109/T-ED.1978.19286
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:1340 / 1340
页数:1
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