LATCH-UP ELIMINATION IN BULK CMOS LSI CIRCUITS

被引：35

作者：

SCHROEDER, JE ^{[1
]}

OCHOA, A ^{[1
]}

DRESSENDORFER, PV ^{[1
]}

机构：

[1] SANDIA NATL LABS,ALBUQUERQUE,NM 87115

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1980.4331097

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1735 / 1738

页数：4

共 5 条

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